Новости

Известный производитель дискретных полупроводниковых приборов, компания PANJIT, представила новый надежный и высокоэффективный MOSFET PSMQC076N12LS1 для работы в источниках питания. Транзистор выполнен по технологии SGT (Source-Gated Transistor) и предназначен для работы при средних (до 115В) уровнях напряжения.

Основные характеристики:

• Сопротивление открытого канала не более 7,6 Ом (при токе стока 20А)
• Допустимый ток стока до 91А в статическом режиме и до 365А в импульсе.
• Высокое быстродействие: 34/116 нс (вкл/выкл).
• Низкие значения входной, выходной и проходной емкостей
• Низкое значение полного заряда затвора – 77 нК
• Превосходные динамические характеристики обратного диода – время восстановления 62,7 нс (при 100В и 10А).

Новый транзистор выпускается в корпусе DFN5060-8L (5х6 мм.)

Пример использования транзистора PSMQC076N12LS1 (MV MOSFET) в схеме импульсного блока питания с синхронным выпрямлением:

Доступны также аналогичные продукты с другими характеристиками:

• PSMQC120N06LS1 (60В, 39А, 12 мОм)
• PSMQC060N06LS1 (60В, 68А, 6 мОм)

Информацию по доступности, образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript. . Мы будем рады Вам помочь!