Новые изделия, выполненные на базе карбида кремния (SiC), предназначены для работы в источниках питания. Они обладают превосходными характеристиками, включая практически нулевое время восстановления, что серьезно снижает требования к системе охлаждения при работе в тяжелых условиях.

Компания PANJIT представила ряд новых продуктов из серии SiC-диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) на 650 и 1200 В, которые обеспечивают превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с устройствами на основе кремния. Новые SiC-диоды выпускаются как в корпусах TO-220AC, предназначенных для монтажа в отверстия, так и в новых корпусах TO-263 для поверхностного монтажа. Номинальные токи варьируются от 4 до 20 ампер.
Диоды SiC SBD от PANJIT обеспечивают нулевой ток обратного восстановления, низкое прямое падение напряжения, температурно-независимые характеристики переключения, высокую устойчивость к импульсным токам и отличные тепловые характеристики. Кроме того, технология на базе карбида кремния обеспечивает более низкие потери проводимости, стабильность и высокую надежность в диапазоне рабочих температур от -55 ° C до + 175 ° C.
Новые SiC-диоды предназначены для инженеров, разрабатывающих схемы преобразования энергии для различных приложений, включая фотоэлектрические инверторы, зарядные устройства для электромобилей, управление промышленными электродвигателями, источники питания для телекоммуникационных и серверных устройств, а также бытовые устройства, где разработчики сталкиваются с проблемами, связанными с уменьшением занимаемой площади при более высокой эффективности системы. PANJIT Semiconductor предлагает SiC-диоды на 650 В и 1200 В в качестве идеального решения для систем питания следующего поколения.
Области применения:
• Питание серверов
• Питание телекоммуникационной аппаратуры
• Питание компьютеров

• Солнечные инверторы
• Системы хранения энергии и контроля батарей

· ЗУ для электротранспорта
· УБП (UPS)
· Электропривод

• Бытовая техника
• Цифровое телевидение
Полная линейка SiC SBD-диодов:

В линейку SiC-диодов входят также изделия серии PCDExxxx. Они тоже выполнены в корпусах TO-263 и отличаются от изделий серии PCDBxxxx назначением 1-го вывода корпуса:

PCDBxxxx

PCDExxxx
Полная информация оSiC-диодахPANJIT > смотреть подробнее
Информацию по доступности, образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.. Мы будем рады Вам помочь!