Новости производителей
В 2019 году компания Renesas пополнила свою линейку продукции микросхемами магниторезистивной памяти MRAM ёмкостью 4, 8, 16 или 32 Мбит. Этот тип памяти находит широкое применение в медицинской технике, охранно-пожарных системах, счетчиках и расходомерах, кассовом оборудовании и мобильных устройствах.
Преимущества технологии MRAM:
- энергонезависимость
- высокая производительность
- низкое энергопотребление
- устойчивость к радиации, нейтронам и альфа-частицам
- неограниченное число циклов перезаписи
- низкий ток утечки ячеек
- высокая плотность ячеек
Предлагаются две серии – с низким потреблением «Ultralowpower» и высокой производительностью «Highperformance». Микросхемы памяти серии «High performance» имеют два дополнительных режима – «Deep Power Down» (до 0.7 мкА) и «Hibernate» (0.1 мкА). Данные при этом сохраняются в памяти.
Основные характеристики
| Параметры | Ultralowpower MRAM | Highperformance MRAM |
| Интерфейс | SPI (1-1-1), 10 МГц макс. | QSPI (4-4-4), 54 / 108 МГц |
| Рабочий ток | 1.8 мА | 15.6 мА (режим SPI SDR @ 108 МГц) |
| Ток в режиме ожидания | 1.3 мкА | 93 мкА |
| Напряжение питания | 1.8 или 3 В | 1.8 или 3 В |
| Диапазон рабочих температур | 0 … +70С -40 … +85С -40 … +105С | 0 … +70С -40 … +85С -40 … +105С -40 … +125С |
| Тип корпуса | WSON-8, 5 x 6 мм SOIC-8, 5.2 x 5.2 мм | WSON-8, 5 x 6 мм SOIC-8, 5.2 x 5.2 мм FBGA-24, 6 x 8 мм |
Информацию по доступности MRAM, а также по образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. . Мы будем рады Вам помочь!
