Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC) для силовой электроники

Нитрид галлия (GaN) в качестве перспективного материала для силовой электроники, уступает, по крайней мере, по частоте упоминаний в медиа, карбиду кремния (SiC). Однако, ситуация может измениться. По данным аналитической компании Research And Markets рынок GaN полупроводниковых приборов в 2021 году оценивался в $78,61 млн. Рынок SiC приборов в том же году, по оценке других аналитиков, был гораздо больше - $2 млрд. Что интересно, среди основных игроков GaN-рынка (см. ниже), многие очень активны и в SiC-сегменте:

  • Gan Systems
  • Wolfspeed, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • Navitas
  • Qorvo, Inc.
  • Toshiba Corp.
  • Efficient Power Conversion
  • MACOM
  • NXP
  • NextGen Power Systems

 

*По данным Инфо-портала «Новости мира электроники»: www.ecworld.ru

 

 

 

Tags:
Оставить заявку